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上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長(zhǎng)溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。

PECVD射頻模塊通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長(zhǎng)溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。